带自动盒式传输系统的全自动晶圆成像检测设备

基于非接触涡流检测技术的高速精密面扫描设备,全面提升薄膜与基底的质量管控水平。

简介

EddyCus® ResMapper 是一款全自动晶圆成像检测设备(全自动型),配备自动盒式传输系统,可对晶圆基底或导电涂层进行全面积表征,为半导体行业的工艺稳定性和质量保证提供可靠支撑。

该系统搭载两个非接触式涡流传感器,以透射模式工作,能够高精度地呈现基底材料或导电涂层的均匀性分布。

该产品通常用于:

  • 电阻率:0.1 – 100 mΩ·cm
  • 方块电阻:0.0001–100,000 Ω/□
  • 导电薄膜厚度:2 nm–1 mm
  • 总厚度偏差 (TTV):300–1,000 µm
  • 翘曲度 (Bow):± 1 mm

传感器性能

  • 方块电阻范围:0.0001 – 100,000 Ω/□
  • 金属膜层厚度 [2 nm–1 mm]
  • 电阻率 [0.1 – 100 mΩ·cm]

光学传感器功能:

  • TTV [300–1,000 µm]
  • 翘曲度 [± 1 mm]

支持的基底

150 mm 及 200 mm 晶圆(硅、碳化硅等)

功能与优势

2–8 英寸晶圆

非接触式上下双面检测

多样化分析功能

OPSResisvityTTVe.g.

多参数测量

高通量检测 每小时最高 60 片晶圆

高分辨率面扫描成像

操作简便

占地面积小 < 1 m²

[Ohm/sq]

方块电阻成像

[nm,µm,mm]

金属膜层厚度成像

[mOhm·cm]ρ

电阻率成像(保留)

3D 查看器

扫描结果

创新悬浮式晶圆传输技术

在设备研发过程中,我们着重将系统与晶圆的接触降到最低,以确保晶圆的完整性不受影响。因此,该设备的工作方式几乎完全非接触——晶圆基底或涂层的上表面和下表面均不会被触碰,仅在晶圆侧面以极小的力进行选择性接触。请观看我们的 EddyCus® ResMapper 视频,了解完整的晶圆传输过程。

全自动晶片成像系统软件截图,显示多个晶片图,包括电阻率、厚度、薄片电阻和点图案可视化。

宽广的测量范围

该设备的方块电阻测量范围为 1 mΩ/□ 至 100 kΩ/□(即 0.0001–100,000 Ω/□)。宽广的方块电阻范围使得金属膜层厚度测量覆盖 2 nm 至 1 mm。您可使用我们的方块电阻计算器,判断设备是否满足您的测量需求。

  • 电阻率:0.1 – 100 mΩ·cm
  • 方块电阻:0.0001–100,000 Ω/□
  • 导电薄膜厚度:2 nm–1 mm

该设备可检测多种晶圆类型和材料,如硅、砷化镓等,覆盖不同的厚度和电学性能范围。

光学传感器扩展测量功能

除方块电阻、对应的金属膜层厚度和电阻率外,该设备还能通过光学传感器检测晶圆基底的物理特性:

  • 总厚度偏差 (TTV):300–1,000 µm
  • 翘曲度 (Bow):± 1 mm

该设备能够检测从微观裂纹到薄膜厚度偏差等各类缺陷,有效强化质量管控。同时,多功能集成的设计取代了多台独立设备的需求,简化工作流程并降低成本。

多传感器测量装置特写,显示多个传感器,包括一个光学传感器和一个涡流传感器,用于综合测量功能

高分辨率、高通量全面积晶圆扫描成像

该检测设备可对晶圆或涂层进行高分辨率全面积成像扫描,让您深入了解被测晶圆的质量状况。根据设置和时间要求,可实现从数十个到数万个测量点的成像。

软件还提供多种分析工具,如直方图和各类线性剖面图。如需查看晶圆上某一区域的详细信息,可使用选区工具选择目标位置,再通过线性剖面图或直方图进行进一步分析。

EddyCus® ResMapper 的处理速度为每小时 45 片晶圆,每天约可处理 1,000 片晶圆。

支持 2 英寸至 200 mm 开放式盒装晶圆

全自动晶圆成像检测系统 EddyCus® ResMapper 配备晶圆盒装载装置,可容纳 150 mm(6 英寸) 和 200 mm(8 英寸) 规格的晶圆载具。每个晶圆载具可容纳 25 片晶圆。此外,通过标准适配器还可支持 2–4 英寸晶圆。

全自动 EddyCus® ResMapper 晶圆测绘系统,配备装有半导体晶圆的 200 毫米晶圆盒
全自动晶片成像工具 - EddyCus® ResMapper 的自动晶片处理系统

自动晶圆传输系统

进行晶圆成像检测时,晶圆从晶圆盒中取出,传送至涡流传感器位置完成测量后,再自动放回晶圆盒。自动化晶圆传输是提升生产效率的关键手段,可有效降低人工成本、提高处理精度,并减少人为操作错误。
该系统精确完成晶圆的测量、搬运和传输——从晶圆盒到测量工位,再返回晶圆盒,全程无需人工操作晶圆,从而避免了测量误差和潜在的晶圆损伤。

专为碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 等宽禁带材料设计

一种被称为宽带隙材料的半导体材料的能带隙比一般半导体的能带隙更宽。半导体行业使用宽带隙材料制造晶体管和其他集成电路。这些元件对半导体至关重要,因为它们能提供更高的功率效率和更快的开关时间。宽带隙材料适用于大功率应用,因为它们的击穿电压也更高。它们能更好地抵御辐射,因此非常适合用于太空应用。碳化硅、氮化镓和金刚石就是宽带隙材料的几个例子。许多不同的应用,如电源、太阳能电池和激光二极管,都使用了这些材料。

碳化硅和氮化镓晶片的图像
用于测量板材电阻和相关参数的非接触式涡流传感器 EddyCus® 在线传感器 S 的产品图片

方块电阻、膜层厚度、电阻率、TTV 及翘曲度——多参数一体化检测

全自动晶圆成像检测设备 EddyCus® ResMapper 可同时测定以下参数:

  • 方块电阻
  • 导电薄膜厚度
  • 电阻率
  • 总厚度偏差 (TTV)
  • 晶圆基底翘曲度 (Bow)

该设备具备超宽测量范围,可覆盖几乎所有应用场景的测量需求。

紧凑的设备尺寸

全自动型设备的占地尺寸小于 1,200 × 800 mm,可直接放置于工作台上。仅 0.93 m² 的占地面积极为紧凑。在洁净室空间寸土寸金的环境下,每一平方米都至关重要。ResMapper 凭借其多参数一体化测量能力,可替代多台独立设备,进一步节省空间和成本。

可视化显示 EddyCus® ResMapper 的尺寸,显示其占地面积小

EddyCus® ResMapper 产品视频

通过视频,您可以直观了解 ResMapper 的操作方式、可分析的材料类型以及设备的整体工作原理。

EddyCus® ResMapper 产品规格

设备参数

测量技术 非接触高频涡流传感器;共焦传感器(TTV 及翘曲度)
适用基底 2–8 英寸晶圆
晶圆盒数量 1
边缘效应校正/排除 2–10 mm(视尺寸、量程、配置及需求而定)
测量模式 标准模式约 22,000 点
可选 9 / 17 / 49 / 81 / 99 / 169 / 625 / … / 100,000 点
单片测量时间 30–90 秒/片(视测量点数而定)
安全配置 安全激光扫描器防护型
封闭式系统
设备外形尺寸(宽×深×高) 785 mm × 1,170 mm × 666 mm
可选功能 总厚度偏差 (TTV) 测量、
载具 ID 读取器、
定制数据接口、
客户软件集成 API

测量能力


板材电阻测量
方块电阻范围 0.0001–100,000 Ω/□(更大范围可定制), 单传感器可达 6 个数量级
精度 1 - 3 %
重复性 < 0.5 %
金属膜层厚度测量(如铝、铜)
金属膜层厚度范围 2 nm–1 mm(与方块电阻相关)
电阻率测量
电阻率测量范围 0.1–1 mΩ·cm @ 2–5% 精度
1–100 mΩ·cm @ 1–3% 精度
重复性 < 1.5%
晶圆厚度测量
晶圆厚度范围 300–1,000 µm(其他范围可定制)

常见问题

板材电阻、金属层厚度、电阻率、弓形、TTV

150 毫米和 200 毫米样品
2 – 4 英寸晶片(通过标准适配器)