晶体光伏

不同的高效晶圆电池技术可用于大批量生产。制造成本对电池和模块至关重要。为了以最低的制造成本实现最高的效率,必须对以下沉积工艺进行监控:

  • 金属栅线
  • 电极
  • 缓冲层或种子层
  • 隧道氧化层
  • 钝化层

测试

  • 方块电阻
  • 电导率
  • 厚度
  • 同质性
  • 缺陷检测

应用领域

  • 进货检验
  • 晶圆测试
  • 沉积工艺控制
  • 质量控制
  • 最终检查

基质

  • n 型硅
  • p 型硅

工艺

  • 内联
  • 承运人

环境

  • 真空状态下与脱离真空状态
  • 原位与异位
  • 在线和离线

类型

  • HJT/ HIT
  • PERC/ PERT
  • 顶级会议
  • IBC
  • 串联
  • 透镜-HJT-串联

使用案例 晶圆入库检测

晶体光伏的片状电阻成像和照片。片状电阻值在每平方 32 到 45 欧姆之间

多晶硅片或单晶硅片的入料检测专用于通过高频涡流技术进行片电阻表征。测量任务可通过单独的薄片电阻表征或结合厚度测量来实现。

用例钝化

晶体光伏钝化片电阻图像。片状电阻值介于 59 至 66 欧姆/平方之间

可通过电感方法(如高频涡流技术)监测晶片的钝化情况,以尽量减少重组效应。