晶圆及金属化层测绘

通过非接触式涡流技术实现高分辨率测绘，有效提升薄膜和基底的质量。EddyCus® map 2530 RMB 采用极小的探测光斑，可在紧邻样品边缘处完成精确测量。

非接触式测量
快速、高精度测量
导电薄膜高分辨率测绘
可对最大220 × 220 mm（8 × 8英寸）的衬底进行成像
可表征隐蔽及封装导电层
多种软件集成分析功能（如薄层电阻分布、线扫描、单点分析等）
测量数据存储与导出功能
缺陷检测与涂层分析

简介

EddyCus® map 2530 RMB 是一款非接触式涡流测绘系统，专为半导体晶圆及其金属化层的高分辨率电学特性表征而优化。该系统针对需要极小穿透深度的应用场景，配备紧凑型传感器，可实现极小探测光斑——特别适合薄导电层和局部特征的精细测绘，包括晶圆近边缘区域。

虽然该系统主要面向晶圆应用进行了优化，但同样可以容纳小型块体样品，如高度不超过 50 mm、重量不超过 100 g 的晶坯（Puck）或晶棒（Boule），为研发和质量控制工作流程提供了更大的灵活性。

EddyCus® map 2530 RMB 可提供关键电学参数的空间分辨成像——包括方阻、体电阻率及衍生电导率指标——精确呈现材料均匀性、掺杂分布、金属化均匀性和缺陷结构。系统支持先进的涡流成像（C-Scan），测量步距可在 100 µm 至 10 mm 之间选择，扫描区域最大可达 220 × 220 mm（8 × 8 英寸），兼容 2D 和 2.5D 样品。

系统可预配置多种传感器探头，满足不同应用需求：用于薄膜及金属化层的高分辨率探头，以及用于块体材料分析的高穿透深度探头。

该产品通常用于：

晶圆电阻率成像
晶圆金属化层厚度或方阻成像
样品尺寸：50 × 50 mm 至 300 × 300 mm
针对不同测量任务的专用传感器
可根据样品尺寸定制样品托的布局和形状
完善的数据分析、导出及报告功能

功能与优势

2–12 英寸晶圆、晶坯和晶棒 — 兼容多种样品规格

晶坯或晶棒厚度 5–50 mm — 支持块体样品测量

多样化分析功能

快速出结果 — 分钟级完成扫描

高分辨率面扫描成像

操作简便 — 用户友好的软件界面

一台设备，多种测量参数

EddyCus® map 2530 RMB 可测量多种电学参数。电阻率与薄层电阻及金属层厚度之间存在关联关系，只要材料特性已知，所有参数均可实现精确测量。

查看完整测量范围

软件与设备控制

用户界面友好的操作软件
实时测绘显示
简便易用的统计分析工具
预设测量与产品配方（尺寸、间距、阈值）
线扫描、直方图与区域分析
黑白及彩色编码显示
CSV及PDF导出
PC端汇总与导出
三级用户权限
参数转换材料数据库
边缘效应补偿
边缘效应补偿
数据存储与导入
数据集导出（如至EddyEva、MS Excel、Origin）

EddyCus® map 2530 RMB 产品视频

通过视频了解EddyCus® map 2530 RMB的使用方法、适用材料及整体工作原理。

应用领域

图片库

EddyCus® map 2530 RMB 技术规格

设备参数

90 千克

测量技术	高频涡流传感器
适用基底	晶圆及块体材料
衬底面积	12英寸 / 300 mm × 300 mm（可按需加大）
运动范围	8英寸 / 220 mm × 220 mm（可按需加大）
边缘效应校正/排除	2–10 mm（视尺寸、量程、配置及需求而定）
最大样品厚度	50 mm（最大 0.3 kg）
扫描间距	0.1 / 1 / 2.5 / 5 / 10 / 25 mm（其他规格可定制）
扫描速度	400 mm/s（扫描时间1至30分钟）
测量模式	接触式与非接触式
可用测量功能	电阻率成像、电导率成像、薄层电阻成像、金属厚度成像、电各向异性图
设备尺寸（宽×高×深）	785 mm × 486 mm × 850 mm（31.5″ × 19.1″ × 33.5″）
	重量

测量能力

电阻率测量
电阻率测量范围	0.1 - 1 mOhm-cm；精度 2 - 5 % 1 - 10 mOhm-cm；精度 1 - 3 % 10 - 30 mOhm-cm；精度 1 - 3 % 30 - 100 mOhm-cm；精度 1 - 3 %
方块电阻测量
片状电阻测量范围	0.05 - 0.1 mOhm/sq；1 - 2 % 精确度 0.1 - 10 mOhm/sq；1 - 2 % 精确度 10 - 100 mOhm/sq；1 - 2 % 精确度 100 - 1,000 mOhm/sq；1 - 2 % 精确度 1,000 - 10,000 mOhm/sq；1 - 2 % 精确度
金属层厚度测量
金属层厚度测量范围	通过转换计算或直接校准实现金属层厚度测量。