晶圆表征

在半导体行业中,金属或金属氧化物层的沉积旨在实现电气、机械、化学、光学等多种特性。通过高频涡流检测技术可表征片电阻、电导率、磁导率及缺陷检测等性能。标准工艺包括真空工艺(如蒸发、溅射或原子层沉积)和湿法工艺(如电镀)。此外,还采用多种不同的预处理和后处理工艺。

测试

  • 方块电阻
  • 电阻率
  • 厚度
  • 均质性
  • 磁导率
  • 缺陷检测
  • Facette 培训

应用领域

  • 成像与近边缘监测
  • 晶圆工艺监测
  • 进货检验
  • 质量控制
  • 沉积工艺控制
  • 预处理与后处理过程控制

基质

  • 碳化硅
  • 氮化镓
  • 蓝宝石(Al₂O₃)

工艺

  • 晶圆级
  • 批处理系统
  • 加载锁
  • 集群系统
  • 内联

环境

  • 真空状态下与脱离真空状态
  • 原位与异位
  • 在线和离线

类型

  • 电力电子学
  • 工业电子
  • IC
  • 微机电系统
  • 微电子学
  • 微处理器
  • LED
  • 传感器
  • 光学
  • 5G

更多资源

  • SEMI MF673 — 使用非接触式涡流测量仪测量半导体晶圆电阻率或半导体薄膜方块电阻的测试方法
  • SEMI M59 — 硅技术术语
  • SEMI MF81 — 硅片径向电阻率变化测量测试方法
  • SEMI MF84 — 在线四点探针法测量硅晶圆电阻率的测试方法
  • SEMI MF374 — 采用在线四点探针与单配置程序测定硅外延层、扩散层、多晶硅层及离子注入层面电阻率的方法
  • SEMI MF1527 — 硅电阻率测量仪器校准与控制用认证标准物质及标准晶圆应用指南